Infineon IRG7PH50K10D-EPBF

Infineon IRG7PH50K10D-EPBF

Артикул: C3193841 Part Number: IRG7PH50K10D-EPBF Производитель: Infineon
от 6.365800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 17.360900 ₽
200 шт. 6.718700 ₽
500 шт. 6.481900 ₽
1000 шт. 6.365800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 400W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 90A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+150℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.9V
Заряд затвора (Qg) 300nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) -
Входная ёмкость (Cies) 4.3nF
Выходная ёмкость (Coes) 190pF
Проходная ёмкость (Cres) 100pF
Время задержки включения Td(on) 90ns
Время задержки выключения Td(off) 340ns
Энергия потерь при включении (Eon) 2.6mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.6mJ
Время обратного восстановления (trr) 130ns

Описание

400W 90A 1.2kV TO-247AD одиночные IGBT-транзисторы RoHS