Infineon IRGP4750D-EPBF
Артикул: C3193818
Part Number: IRGP4750D-EPBF
Производитель: Infineon
от 3.487400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.509700 ₽ |
| 200 шт. | 3.680400 ₽ |
| 500 шт. | 3.552300 ₽ |
| 1000 шт. | 3.487400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 273W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 70A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 105nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 190pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 60pF |
| Время задержки включения Td(on) | 50ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 105ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 500uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 150ns |
Описание
273W 70A 650V TO-247AD одиночные IGBT-транзисторы