Infineon IRG8P60N120KDPBF

Infineon IRG8P60N120KDPBF

Артикул: C3193762 Part Number: IRG8P60N120KDPBF Производитель: Infineon
от 0.999400 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.722800 ₽
200 шт. 1.054100 ₽
500 шт. 1.018200 ₽
1000 шт. 0.999400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 420W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 100A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+150℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.7V
Заряд затвора (Qg) 230nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 6.5V
Входная ёмкость (Cies) 3.7nF
Выходная ёмкость (Coes) 215pF
Проходная ёмкость (Cres) 120pF
Время задержки включения Td(on) 40ns
Время задержки выключения Td(off) 240ns
Энергия потерь при включении (Eon) 2.8mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 2.3mJ
Время обратного восстановления (trr) 210ns

Описание

420W 100A 1.2kV TO-247AC одиночные IGBT-транзисторы RoHS