Infineon IRG8P25N120KDPBF

Infineon IRG8P25N120KDPBF

Артикул: C3193746 Part Number: IRG8P25N120KDPBF Производитель: Infineon
от 3.316100 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 9.043500 ₽
200 шт. 3.499800 ₽
500 шт. 3.377800 ₽
1000 шт. 3.316100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 180W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 40A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+150℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.7V;2V
Заряд затвора (Qg) 135nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) -
Входная ёмкость (Cies) 1.8nF
Выходная ёмкость (Coes) 90pF
Проходная ёмкость (Cres) 45pF
Время задержки включения Td(on) 20ns
Время задержки выключения Td(off) 170ns
Энергия потерь при включении (Eon) 800uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 900uJ
Время обратного восстановления (trr) 70ns

Описание

180W 40A 1.2kV TO-247AC одиночные IGBT-транзисторы RoHS