Infineon IRG8P50N120KDPBF
Артикул: C3193720
Part Number: IRG8P50N120KDPBF
Производитель: Infineon
от 5.890700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 16.065400 ₽ |
| 200 шт. | 6.217300 ₽ |
| 500 шт. | 5.999000 ₽ |
| 1000 шт. | 5.890700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 315nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 200pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 105pF |
| Время задержки включения Td(on) | 35ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 190ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 170ns |
Описание
350W 80A 1.2kV TO-247AC одиночные IGBT-транзисторы RoHS