ST STGW75H65DFB2-4
Артикул: C3193699
Part Number: STGW75H65DFB2-4
Производитель: ST
от 8.922500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.731500 ₽ |
| 10 шт. | 9.614600 ₽ |
| 30 шт. | 9.002100 ₽ |
| 100 шт. | 8.922500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 357W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 115A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V |
| Заряд затвора (Qg) | 207nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2V@15V,75A |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.357nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 264pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 117pF |
| Время задержки включения Td(on) | 22ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 121ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 992uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 766uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 88ns |
Описание
357W 115A 650V FS (ограничение поля) TO-247-4 одиночные IGBT-транзисторы RoHS