ST STGW50H65DFB2-4
Артикул: C3193696
Part Number: STGW50H65DFB2-4
Производитель: ST
от 2.084100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.682700 ₽ |
| 200 шт. | 2.199900 ₽ |
| 500 шт. | 2.122700 ₽ |
| 1000 шт. | 2.084100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 272W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 86A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V |
| Заряд затвора (Qg) | 151nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.928nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 162pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 78pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 128ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 629uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 478uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 92ns |
Описание
272W 86A 650V FS (ограничение поля) TO-247-4 одиночные IGBT-транзисторы RoHS