MICROCHIP APT75GN60BDQ2G
Артикул: C3193690
Part Number: APT75GN60BDQ2G
Производитель: MICROCHIP
от 8.458600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 23.065900 ₽ |
| 200 шт. | 8.926100 ₽ |
| 500 шт. | 8.612900 ₽ |
| 1000 шт. | 8.458600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 536W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 155A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.45V |
| Заряд затвора (Qg) | 485nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 370pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 150pF |
| Время задержки включения Td(on) | 47ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 385ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.14mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 25ns |
Описание
536W 155A 600V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS