MICROCHIP APT50GS60BRDQ2G
Артикул: C3193674
Part Number: APT50GS60BRDQ2G
Производитель: MICROCHIP
от 14.537600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 18.054400 ₽ |
| 10 шт. | 17.224500 ₽ |
| 30 шт. | 15.790100 ₽ |
| 90 шт. | 14.537600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 415W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 93A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 235nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.635nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 240pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 145pF |
| Время задержки включения Td(on) | 16ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 225ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.2mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 755uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 25ns |
Описание
415W 93A 600V NPT (не-пробойник Through) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS