onsemi HGTG12N60A4

onsemi HGTG12N60A4

Артикул: C3193634 Part Number: HGTG12N60A4 Производитель: onsemi
от 0.969000 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.643200 ₽
200 шт. 1.023000 ₽
500 шт. 0.987600 ₽
1000 шт. 0.969000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 167W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 54A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2V
Заряд затвора (Qg) 78nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.6V
Входная ёмкость (Cies) -
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) -
Время задержки включения Td(on) 17ns
Время задержки выключения Td(off) 96ns
Энергия потерь при включении (Eon) 55uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 50uJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

167W 54A 600V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS