onsemi HGTG30N60B3_NL
Артикул: C3193593
Part Number: HGTG30N60B3_NL
Производитель: onsemi
от 5.612600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.306000 ₽ |
| 200 шт. | 5.923000 ₽ |
| 500 шт. | 5.716100 ₽ |
| 1000 шт. | 5.612600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 208W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 60A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.45V |
| Заряд затвора (Qg) | 250nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 36ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 137ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 550uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 680uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
208W 60A 600V NPT (не-пробойник Through) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS