TI HGTG12N60C3DR
Артикул: C3193589
Part Number: HGTG12N60C3DR
Производитель: TI
от 0.969000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.643200 ₽ |
| 200 шт. | 1.023000 ₽ |
| 500 шт. | 0.987600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.969000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 104W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 24A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.9V |
| Заряд затвора (Qg) | 50nC@15V;71nC@20V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6.1V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 37ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 120ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 400uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 340uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 35ns;60ns |
Описание
104W 24A 600V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы