onsemi HGTP20N35G3VL

onsemi HGTP20N35G3VL

Артикул: C3193551 Part Number: HGTP20N35G3VL Производитель: onsemi
от 1.370900 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.736000 ₽
200 шт. 1.446600 ₽
500 шт. 1.395600 ₽
1000 шт. 1.370900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 150W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 380V
Ток коллектора (Ic) 20A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.3V;1.6V;1.25V;1.5V;2.8V;1.9V;3.5V
Заряд затвора (Qg) 28.7nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 1.3V;2.3V
Входная ёмкость (Cies) -
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) -
Время задержки включения Td(on) -
Время задержки выключения Td(off) 15us;30us
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) -
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

150W 20A 380V TO-220AB одиночные IGBT-транзисторы RoHS