TI HGTP10N50E1
Артикул: C3193433
Part Number: HGTP10N50E1
Производитель: TI
от 1.678100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.575800 ₽ |
| 200 шт. | 1.770800 ₽ |
| 500 шт. | 1.709000 ₽ |
| 1000 шт. | 1.678100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 500V |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 19nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@20V,17.5A |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 50ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 400ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 680uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
60W 10A 500V TO-220-3 одиночные IGBT-транзисторы