600V сверхнизкий Vsat PT биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для до 5kHz импульсный

600V сверхнизкий Vsat PT биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для до 5kHz импульсный

Артикул: C3193390 Part Number: IXGP48N60A3 Производитель: Littelfuse/IXYS
от 5.203300 ₽ В наличии: 200 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 7.086300 ₽
10 шт. 6.361900 ₽
30 шт. 5.930900 ₽
100 шт. 5.495000 ₽
500 шт. 5.293400 ₽
1000 шт. 5.203300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT PT (Punch-Through)
Рассеиваемая мощность (Pd) 300W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 120A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.35V@32A,15V
Заряд затвора (Qg) 110nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 3V@250uA
Входная ёмкость (Cies) 3.19nF
Выходная ёмкость (Coes) 175pF
Проходная ёмкость (Cres) 43pF
Время задержки включения Td(on) 25ns
Время задержки выключения Td(off) 334ns
Энергия потерь при включении (Eon) 950uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 2.9mJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

300W 120A 600V PT (пробойник-Through) TO-220 одиночные IGBT-транзисторы RoHS