TI HGTA32N60E2
Артикул: C3193375
Part Number: HGTA32N60E2
Производитель: TI
от 9.100600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 24.816200 ₽ |
| 200 шт. | 9.603900 ₽ |
| 500 шт. | 9.267300 ₽ |
| 1000 шт. | 9.100600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 208W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.4V |
| Заряд затвора (Qg) | 265nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 100ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 630ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
208W 50A 600V TO-218-5 одиночные IGBT-транзисторы