MICROCHIP APT35GP120B2D2G
Артикул: C3193358
Part Number: APT35GP120B2D2G
Производитель: MICROCHIP
от 16.141100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 44.017900 ₽ |
| 200 шт. | 17.034500 ₽ |
| 500 шт. | 16.435800 ₽ |
| 1000 шт. | 16.141100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 41A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.3V;3V |
| Заряд затвора (Qg) | 55nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.145nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 90pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 15pF |
| Время задержки включения Td(on) | 9ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 28ns;70ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 115uJ;225uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 165uJ;840uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 21ns;240ns;290ns;130ns |
Описание
250W 41A 1.2kV TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS