TI HGTG30N60C3
Артикул: C3193345
Part Number: HGTG30N60C3
Производитель: TI
от 1.929800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.261200 ₽ |
| 200 шт. | 2.036300 ₽ |
| 500 шт. | 1.965300 ₽ |
| 1000 шт. | 1.929800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 208W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 63A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 250nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.8V@15V,30A |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 40ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 320ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.05mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
208W 63A 600V SUPER-247(TO-274AA) одиночные IGBT-транзисторы