Infineon SGB02N120CT
Артикул: C3191804
Part Number: SGB02N120CT
Производитель: Infineon
от 0.969000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.643200 ₽ |
| 200 шт. | 1.023000 ₽ |
| 500 шт. | 0.987600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.969000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 62W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 6.2A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.1V |
| Заряд затвора (Qg) | 11nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.6V@15V,2A |
| Входная ёмкость (Cies) | 205pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 20pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 12pF |
| Время задержки включения Td(on) | 23ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 260ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 220uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 60uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
62W 6.2A 1.2kV NPT (не-пробойник Through) TO-263 одиночные IGBT-транзисторы