IGBT 650V 30A TO-263
Артикул: C3191790
Part Number: AIGB30N65F5ATMA1
Производитель: Infineon
от 7.125600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.392100 ₽ |
| 30 шт. | 7.125600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 188W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@30A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 70nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.3mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 188ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 330uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 100uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
IGBT 650V 30A поверхностный монтаж TO-263