Infineon IGD15N65T6ARMA1
Артикул: C3191768
Part Number: IGD15N65T6ARMA1
Производитель: Infineon
от 1.584100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.736300 ₽ |
| 10 шт. | 2.336900 ₽ |
| 30 шт. | 2.087000 ₽ |
| 100 шт. | 1.750700 ₽ |
| 500 шт. | 1.635000 ₽ |
| 1000 шт. | 1.584100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 37nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.9V@15V,11.5A |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.02nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 20pF |
| Время задержки включения Td(on) | 30ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 117ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 230uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 110uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
100W 30A 650V FS (ограничение поля) TO-252-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS