Infineon IGD06N65T6ARMA1
Артикул: C3191759
Part Number: IGD06N65T6ARMA1
Производитель: Infineon
от 0.452100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.231300 ₽ |
| 200 шт. | 0.476800 ₽ |
| 500 шт. | 0.459900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.452100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 31W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 9A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 13.7nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.9V@15V,3A |
| Входная ёмкость (Cies) | 283pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 22pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 5pF |
| Время задержки включения Td(on) | 15ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 35ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 60uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 30uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
31W 9A 650V FS (ограничение поля) TO-252-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS