IGBT 1.2kV 100A TO-247-3
Артикул: C3191732
Part Number: IKQ50N120CH3XKSA1
Производитель: Infineon
от 6.122600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.833500 ₽ |
| 10 шт. | 7.174700 ₽ |
| 30 шт. | 6.783100 ₽ |
| 90 шт. | 6.388100 ₽ |
| 510 шт. | 6.204600 ₽ |
| 990 шт. | 6.122600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 652W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.35V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 235nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V@1.7mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.269nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 355pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 199pF |
| Время задержки включения Td(on) | 34ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 297ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.9mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 240ns |
Описание
IGBT 1.2kV 100A 652W монтаж в отверстия TO-247-3