Infineon IHW30N65R6XKSA1
Артикул: C3191673
Part Number: IHW30N65R6XKSA1
Производитель: Infineon
от 1.080900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.948600 ₽ |
| 200 шт. | 1.140900 ₽ |
| 500 шт. | 1.101400 ₽ |
| 1000 шт. | 1.080900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 163W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 65A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.35V |
| Заряд затвора (Qg) | 120nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.6V@15V,30A |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.69nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 34pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 15pF |
| Время задержки включения Td(on) | 13ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 161ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 730uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 260uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 90ns |
Описание
163W 65A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS