Infineon IHW50N65R5XKSA1
Артикул: C3191668
Part Number: IHW50N65R5XKSA1
Производитель: Infineon
от 3.930000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.212700 ₽ |
| 10 шт. | 4.149300 ₽ |
| 30 шт. | 3.972300 ₽ |
| 90 шт. | 3.930000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 282W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 230nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.7V@15V,50A |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.14nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 55pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 23pF |
| Время задержки включения Td(on) | 26ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 220ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 740uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 180uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 95ns |
Описание
282W 80A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS