Infineon IHW50N65R6XKSA1

Infineon IHW50N65R6XKSA1

Артикул: C3191661 Part Number: IHW50N65R6XKSA1 Производитель: Infineon
от 2.388200 ₽ В наличии: 10 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.650600 ₽
10 шт. 3.213600 ₽
30 шт. 2.851300 ₽
100 шт. 2.570200 ₽
500 шт. 2.443500 ₽
1000 шт. 2.388200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 251W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 100A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.6V@50A,15V
Заряд затвора (Qg) 199nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 3.2V@0.5mA
Входная ёмкость (Cies) 5nF
Выходная ёмкость (Coes) 49pF
Проходная ёмкость (Cres) 18pF
Время задержки включения Td(on) 21ns
Время задержки выключения Td(off) 261ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.5mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 660uJ
Время обратного восстановления (trr) 108ns

Описание

251W 100A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS