Infineon IGW50N65H5AXKSA1
Артикул: C3191659
Part Number: IGW50N65H5AXKSA1
Производитель: Infineon
от 3.320200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.053000 ₽ |
| 200 шт. | 3.503200 ₽ |
| 500 шт. | 3.380100 ₽ |
| 1000 шт. | 3.320200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 270W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.66V;1.91V;2.04V |
| Заряд затвора (Qg) | 116nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.8nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 54pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 173ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 450uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 160uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
270W 80A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS