Infineon IKN03N60RC2ATMA1

Infineon IKN03N60RC2ATMA1

Артикул: C3191597 Part Number: IKN03N60RC2ATMA1 Производитель: Infineon
от 0.377000 ₽ В наличии: 40 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.742500 ₽
10 шт. 0.599900 ₽
30 шт. 0.529400 ₽
100 шт. 0.440900 ₽
500 шт. 0.398300 ₽
1000 шт. 0.377000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 6.3W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 5.7A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+150℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.3V@3A,15V
Заряд затвора (Qg) 18nC
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 2.3V@15V,3A
Входная ёмкость (Cies) 140pF
Выходная ёмкость (Coes) 7pF
Проходная ёмкость (Cres) 6pF
Время задержки включения Td(on) 7ns
Время задержки выключения Td(off) 77.5ns
Энергия потерь при включении (Eon) 62uJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 44uJ
Время обратного восстановления (trr) 38ns

Описание

6.3W 5.7A 600V SOT-223-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS