Infineon IKN04N60RC2ATMA1
Артикул: C3191596
Part Number: IKN04N60RC2ATMA1
Производитель: Infineon
от 0.413400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.791300 ₽ |
| 10 шт. | 0.644800 ₽ |
| 30 шт. | 0.572300 ₽ |
| 100 шт. | 0.478200 ₽ |
| 500 шт. | 0.435000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.413400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 6.8W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 7.5A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.3V@15V,4A |
| Входная ёмкость (Cies) | 180pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 10pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 7pF |
| Время задержки включения Td(on) | 8ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 126ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 95uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 62uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 39ns |
Описание
6.8W 7.5A 600V SOT-223-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS