Infineon IKN06N60RC2ATMA1
Артикул: C3191595
Part Number: IKN06N60RC2ATMA1
Производитель: Infineon
от 0.810700 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.862700 ₽ |
| 10 шт. | 0.851400 ₽ |
| 30 шт. | 0.843200 ₽ |
| 100 шт. | 0.810700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 7.2W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V@6A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 31nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.3V@15V,6A |
| Входная ёмкость (Cies) | 250pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 13pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 10pF |
| Время задержки включения Td(on) | 8.8ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 174ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 151uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 104uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 42ns |
Описание
7.2W 8A 600V IGBT модуль SOT-223-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS