Infineon IKN01N60RC2ATMA1
Артикул: C3191594
Part Number: IKN01N60RC2ATMA1
Производитель: Infineon
от 0.547500 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.565400 ₽ |
| 10 шт. | 0.557300 ₽ |
| 30 шт. | 0.552400 ₽ |
| 100 шт. | 0.547500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 5.1W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 2.2A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V@1A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 9nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.3V@15V,1A |
| Входная ёмкость (Cies) | 55pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 4pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 2.5pF |
| Время задержки включения Td(on) | 5.6ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 80ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 25.1uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 13.5uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 59.5ns |
Описание
5.1W 2.2A 600V SOT-223-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS