MICROCHIP APT100GT120JR
Артикул: C3191197
Part Number: APT100GT120JR
Производитель: MICROCHIP
от 50.007800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 136.384900 ₽ |
| 200 шт. | 52.778900 ₽ |
| 500 шт. | 50.924300 ₽ |
| 1000 шт. | 50.007800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 570W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 123A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 3.2V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 685nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.7nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 653pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 440pF |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 50ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 630ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 17.6mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 7.24mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
570W 123A 1.2kV NPT (не-пробойник Through) SOT-227-4 модули IGBT RoHS