MICROCHIP APT60GT60JRDQ3
Артикул: C3191193
Part Number: APT60GT60JRDQ3
Производитель: MICROCHIP
от 38.617300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 105.321000 ₽ |
| 200 шт. | 40.757600 ₽ |
| 500 шт. | 39.326200 ₽ |
| 1000 шт. | 38.617300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 379W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 105A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V |
| Заряд затвора (Qg) | 460nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 5.15nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 475pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 295pF |
| Время задержки включения Td(on) | 40ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 320ns;350ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.25mJ;3.525mJ;3.275mJ;4.65mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.125mJ;3.75mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
379W 105A 600V NPT (не-пробойник Through) SOT-227-4 одиночные IGBT-транзисторы RoHS