onsemi HGT1S7N60C3D
Артикул: C3191161
Part Number: HGT1S7N60C3D
Производитель: onsemi
от 0.950500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.590700 ₽ |
| 200 шт. | 1.003000 ₽ |
| 500 шт. | 0.967500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.950500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 14A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V |
| Заряд затвора (Qg) | 38nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 8.5ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 350ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 165uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 600uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 25ns |
Описание
60W 14A 600V I2PAK(TO-262) одиночные IGBT-транзисторы RoHS