TI HGT1S20N60C3R
Артикул: C3191151
Part Number: HGT1S20N60C3R
Производитель: TI
от 1.543800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.209900 ₽ |
| 200 шт. | 1.628700 ₽ |
| 500 шт. | 1.571600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.543800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 164W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V;2.1V |
| Заряд затвора (Qg) | 116nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.2V@15V,20A |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 34ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 390ns;330ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
164W 40A 600V I2PAK(TO-262) одиночные IGBT-транзисторы