Изолированный затвор биполярный транзистор с сверх быстрый мягкий восстановление диод
Артикул: C3190816
Part Number: IRGR3B60KD2TRP
Производитель: Infineon
от 1.650700 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.714000 ₽ |
| 10 шт. | 1.686400 ₽ |
| 30 шт. | 1.668500 ₽ |
| 100 шт. | 1.650700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 7.8A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.4V@3A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 13nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.5V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 190pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 23pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 6.6pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 110ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 62uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 39uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 77ns |
Описание
52W 7.8A 600V NPT (не-пробойник Through) DPAK одиночные IGBT-транзисторы RoHS