MICROCHIP APT80GA90S
Артикул: C3190555
Part Number: APT80GA90S
Производитель: MICROCHIP
от 9.978400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 27.215000 ₽ |
| 200 шт. | 10.532400 ₽ |
| 500 шт. | 10.162100 ₽ |
| 1000 шт. | 9.978400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | PT (Punch-Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 625W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 900V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V;2.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 200nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.56nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 411pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 62pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 149ns;192ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.652mJ;2.813mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.389mJ;2.082mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
625W 80A 900V PT (пробойник-Through) D3PAK одиночные IGBT-транзисторы RoHS