ST STGB30H65DFB2
Артикул: C3190547
Part Number: STGB30H65DFB2
Производитель: ST
от 1.009700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.751100 ₽ |
| 200 шт. | 1.065300 ₽ |
| 500 шт. | 1.028200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.009700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 167W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 90nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.57nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 98pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 40pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18.4ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 71ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 270uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 310uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 115ns |
Описание
167W 50A 650V FS (ограничение поля) D2PAK-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS