onsemi FGB30N6S2T
Артикул: C3190539
Part Number: FGB30N6S2T
Производитель: onsemi
от 0.969000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.643200 ₽ |
| 200 шт. | 1.023000 ₽ |
| 500 шт. | 0.987600 ₽ |
| 800 шт. | 0.969000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 167W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 45A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 23nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.3V |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 6ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 40ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 55uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 100uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
167W 45A 600V D2PAK(TO-263) одиночные IGBT-транзисторы RoHS