onsemi NGB8206ANT4G
Артикул: C3190504
Part Number: NGB8206ANT4G
Производитель: onsemi
от 0.020000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.054400 ₽ |
| 200 шт. | 0.021100 ₽ |
| 500 шт. | 0.020300 ₽ |
| 800 шт. | 0.020000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 390V |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.3V@10A,4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.9V@4.5V,20A |
| Входная ёмкость (Cies) | - |
| Выходная ёмкость (Coes) | 80pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 20pF |
| Время задержки включения Td(on) | 1.5us |
| Время задержки выключения Td(off) | 8us;5us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
150W 20A 390V D2PAK одиночные IGBT-транзисторы RoHS