Infineon FS660R08A6P2FB

Infineon FS660R08A6P2FB

Артикул: C3190373 Part Number: FS660R08A6P2FB Производитель: Infineon
от 302.848800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 341.393100 ₽
200 шт. 319.631700 ₽
500 шт. 308.398500 ₽
1000 шт. 302.848800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.053kW
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 750V
Ток коллектора (Ic) 450A
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.35V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 1.35V@15V,450A
Заряд затвора (Qg) 4.4uC@15V
Входная ёмкость (Cies) 80nF@50V
Выходная ёмкость (Coes) 1nF
Проходная ёмкость (Cres) 300pF
Рабочая температура -40℃~+150℃@(Tj)
Время задержки включения Td(on) 280ns
Время задержки выключения Td(off) 940ns
Энергия потерь при включении (Eon) 13.5mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 23.5mJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

1.053kW 450A 750V FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS