Infineon FS650R08A4P2BPSA1
Артикул: C3190370
Part Number: FS650R08A4P2BPSA1
Производитель: Infineon
от 308.179200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 347.402300 ₽ |
| 200 шт. | 325.259100 ₽ |
| 500 шт. | 313.827200 ₽ |
| 1000 шт. | 308.179200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 750V |
| Ток коллектора (Ic) | 375A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.35V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.35V@15V,375A |
| Заряд затвора (Qg) | 3.55uC@400V |
| Входная ёмкость (Cies) | 65nF@50V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 830pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 250pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 300ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 800ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 8mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 18mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 375A 750V FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS