Infineon FP75R07N2E4B11
Артикул: C3190318
Part Number: FP75R07N2E4B11
Производитель: Infineon
от 58.621500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 159.874100 ₽ |
| 195 шт. | 61.870200 ₽ |
| 495 шт. | 59.696100 ₽ |
| 1005 шт. | 58.621500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 95A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.95V@15V,75A |
| Заряд затвора (Qg) | 750nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.6nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 145pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 210ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 385uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.35mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 95A 650V FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS