Infineon BSM35GD120DN2E3224
Артикул: C3190313
Part Number: BSM35GD120DN2E3224
Производитель: Infineon
от 147.150200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 401.319300 ₽ |
| 200 шт. | 155.306300 ₽ |
| 500 шт. | 149.847300 ₽ |
| 1000 шт. | 147.150200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 280W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.7V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@15V,35A |
| Входная ёмкость (Cies) | 2nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | 300pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 140pF |
| Время задержки включения Td(on) | 60ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 400ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 250ns |
Описание
280W 50A 1.2kV одиночные IGBT-транзисторы RoHS