Infineon FP50R07N2E4
Артикул: C3190312
Part Number: FP50R07N2E4
Производитель: Infineon
от 52.977000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 144.480800 ₽ |
| 195 шт. | 55.912800 ₽ |
| 495 шт. | 53.947500 ₽ |
| 1005 шт. | 52.977000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 70A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.95V@15V,50A |
| Заряд затвора (Qg) | 500nC |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.1nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 95pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 23ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 180ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 330uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.8mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 70A 650V FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS