Infineon F3L200R12N2H3B47
Артикул: C3190300
Part Number: F3L200R12N2H3B47
Производитель: Infineon
от 64.518200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 175.957700 ₽ |
| 200 шт. | 68.094100 ₽ |
| 500 шт. | 65.701700 ₽ |
| 1000 шт. | 64.518200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 150A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.15V@15V,150A |
| Заряд затвора (Qg) | 1.6uC |
| Входная ёмкость (Cies) | 11.5nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 630pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 190ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 310ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 4.55mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 150A 1.2kV модули IGBT RoHS