Infineon FP75R07N2E4B16BOSA1
Артикул: C3190283
Part Number: FP75R07N2E4B16BOSA1
Производитель: Infineon
от 107.088500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 292.056800 ₽ |
| 200 шт. | 113.022700 ₽ |
| 500 шт. | 109.051100 ₽ |
| 1000 шт. | 107.088500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 95A |
| Рабочая температура | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 1.95V@15V,75A |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.6nF@25V |
Описание
20mW 95A 650V FS (ограничение поля) одиночные IGBT-транзисторы