Infineon FP75R12N2T4B11
Артикул: C3190267
Part Number: FP75R12N2T4B11
Производитель: Infineon
от 71.276300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 194.390400 ₽ |
| 200 шт. | 75.227100 ₽ |
| 500 шт. | 72.582900 ₽ |
| 1000 шт. | 71.276300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.15V@15V,75A |
| Заряд затвора (Qg) | 570nC@15V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.3nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 160pF |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃@(Tj) |
| Время задержки включения Td(on) | 110ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 260ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 7.85mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 4.3mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 75A 1.2kV FS (ограничение поля) модули IGBT RoHS