Infineon BSM25GP120
Артикул: C3190264
Part Number: BSM25GP120
Производитель: Infineon
от 158.408000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 432.020200 ₽ |
| 200 шт. | 167.186700 ₽ |
| 500 шт. | 161.311000 ₽ |
| 1000 шт. | 158.408000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 230W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 45A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V;2.45V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.55V@15V,25A |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.5nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | 45ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 290ns;340ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.2mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
230W 45A 1.2kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы RoHS