Infineon DDB6U100N16RR
Артикул: C3190259
Part Number: DDB6U100N16RR
Производитель: Infineon
от 104.525600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 285.068700 ₽ |
| 200 шт. | 110.317900 ₽ |
| 500 шт. | 106.442000 ₽ |
| 1000 шт. | 104.525600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V;3.2V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@20V,50A |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.3nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
350W 50A 1.2kV одиночные IGBT-транзисторы RoHS